Отличаются проводимостью канала. По подключению не отличатся они не могут. Несмотря на то, что открытый канал полевого транзистора (абсолютно любого, не обязательно это MOSFET) проводит ток в обоих направлениях (и это тотальное их отличие от биполярных транзисторов), управляются они по-разному. В схеме с транзистором с каналом N типа необходимо подать положительное напряжение на затвор (Gain) относительно истока (Source). В схеме с транзистором с каналом P типа на затвор необходимо подать отрицательное напряжение. Эта особенность отражается на схемотехнических решениях: N канальные транзисторы ставят в разрыв между управляемой нагрузкой и нулевой шиной (называется нижний ключ), P канальные транзисторы ставят между нагрузкой и плюсовой шиной (верхний ключ). Так как отключать нагрузку от нулевой шины не всегда приемлемо (возможна паразитная запитка отключаемого устройства по сигнальным линиям), а P канальные транзисторы при той же стоимости имеют характеристики хуже, чем их N канальные собратья (хотя в последнее время эта грань немного стирается), то в качестве верхнего ключа ставят транзисторы N типа. Но тогда на затвор транзистора необходимо подать напряжение, превышающее напряжение питания. Для этого применяют бутстрепные схемы, схемы на трансформаторах и опто-гальванические приборы для запитки затвора. Самая простая и доступная из этих схем - бутстрепная. Она доступна в виде готовых микросхем драйверов, но так же её не сложно собрать и на дискретных элементах. Трансформаторные схемы и опто-гальванические применяют там, где необходима гальваническая развязка силового ключа от схемы управления.